ترانزیستور FQPF2N60C
یک MOSFET نوع N-channel است که برای کاربردهای ولتاژ بالا طراحی شده است. این ترانزیستور به دلیل ویژگیهای ولتاژ و جریان مناسب، در مدارهای سوئیچینگ، منابع تغذیه، و کاربردهای مختلف صنعتی استفاده میشود. این قطعه به صورت بسته TO-220F عرضه میشود که دارای پشت فلزی برای دفع حرارت بهتر است.
مشخصات کلیدی:
- نوع: N-channel MOSFET
- ولتاژ سورس-درین (Vds): 600 ولت
- جریان درین (Id): 2 آمپر (در دمای 25 درجه سانتیگراد)
- مقاومت روشن (Rds(on)): 4.5 اهم
- توان پراکنده (Pd): 25 وات
ویژگیها:
- ولتاژ بالا: میتواند ولتاژهای تا 600 ولت را تحمل کند که آن را برای کاربردهای ولتاژ بالا مناسب میسازد.
- جریان متوسط: این ترانزیستور میتواند جریانهای تا 2 آمپر را مدیریت کند.
- مقاومت روشن مناسب: Rds(on) مناسب برای کاربردهای سوئیچینگ با توان متوسط.
- پشت فلزی: پشت فلزی در بسته TO-220F برای دفع حرارت بهتر و پایداری حرارتی بالاتر.
- سرعت سوئیچینگ بالا: سرعت سوئیچینگ بالایی دارد که آن را برای کاربردهای سوئیچینگ سریع مناسب میسازد.
کاربردها:
- منابع تغذیه سوئیچینگ: برای تبدیل ولتاژ و کنترل توان در منابع تغذیه سوئیچینگ.
- مدارات حفاظتی: در مدارهای حفاظتی و سوئیچینگ قدرت.
- تجهیزات صنعتی: در کاربردهای صنعتی که نیاز به مدیریت ولتاژ و جریان بالا دارند.
- مدارات تقویتکننده: برای تقویت سیگنالهای توان بالا در تقویتکنندههای قدرت.
ساختار داخلی و پکیج:
- سه پایه: شامل درین (D)، سورس (S) و گیت (G).
- پکیج TO-220F: با پشت فلزی برای دفع حرارت بهتر و نصب آسان.
نحوه استفاده:
- مدار درایور گیت: استفاده از یک درایور گیت مناسب برای فراهم کردن ولتاژ و جریان کافی جهت سوئیچینگ موثر.
- محدود کردن جریان گیت: استفاده از مقاومت گیت برای جلوگیری از آسیب به ترانزیستور به دلیل جریان بیش از حد.
- استفاده از هیت سینک: برای دفع حرارت اضافی و جلوگیری از افزایش دما، از هیت سینک مناسب استفاده کنید.
- خنکسازی فعال: در کاربردهای با توان بالا، ممکن است نیاز به استفاده از خنککنندههای فعال مانند فن یا سیستمهای خنککننده مایع باشد.
مثال مدار ساده:
در یک منبع تغذیه سوئیچینگ، گیت ترانزیستور FQPF2N60C به یک مدار درایور متصل میشود که سیگنال سوئیچینگ را فراهم میکند. درین به منبع ولتاژ DC و سورس به بار یا زمین متصل میشود. سیگنال درایور باعث روشن و خاموش شدن ترانزیستور میشود و توان را به بار منتقل میکند.
خلاصه:
ترانزیستور FQPF2N60C یک MOSFET N-channel با ویژگیهای ولتاژ و جریان متوسط تا بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و کنترل در مدارهای الکترونیکی و صنعتی مناسب است. پکیج TO-220F آن با پشت فلزی برای دفع حرارت بهتر و پایداری حرارتی بالا طراحی شده است.
علی عباسعلیان –
در یک ماسفت، با تغییر ولتاژ موجود بر روی گیت، میزان جریانی که از سورس به درین میرود، تنظیم میشود. به عبارت دیگر، توانایی این ترانزیستور در تنظیم جریان الکترونی بسیار بالاست، این خاصیت آن را مناسب برای کاربردهای مختلف الکترونیکی از جمله سوئیچینگ و تقویتکننده سیگنال میکند؛؛
محمد جعفری –
ماسفت یک ساختار سه لایهای دارد که شامل یک لایه ناخالص باز (سورس)، یک لایه ناخالص پوشش (درین) و یک لایه اکسید کربنیل (گیت) است. این سه لایه باعث کنترل جریان الکترونی در مدار میشود؛؛