ترانزیستور FDA59N30
یک MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) نوع N-channel است که برای کاربردهای قدرت بالا طراحی شده است. این MOSFET به دلیل ویژگیهای منحصر به فرد خود در مدارهای الکترونیکی قدرت، مانند منابع تغذیه سوئیچینگ و کنترل موتور، استفاده میشود.
مشخصات کلیدی:
- نوع: N-channel MOSFET
- ولتاژ سورس-درین (Vds): 300 ولت
- جریان درین (Id): 59 آمپر
- مقاومت روشن (Rds(on)): 0.032 اهم
- توان پراکنده (Pd): تا 375 وات (بسته به شرایط خنکسازی)
- ولتاژ گیت-سورس (Vgs): ±20 ولت
ویژگیها:
- ولتاژ بالا: توانایی تحمل ولتاژهای تا 300 ولت که برای کاربردهای ولتاژ بالا مناسب است.
- جریان بالا: جریان درین تا 59 آمپر که برای کاربردهای با جریان بالا مانند کنترل موتور و منابع تغذیه سوئیچینگ مناسب است.
- مقاومت روشن پایین: Rds(on) پایین که باعث کاهش تلفات توان و افزایش کارایی میشود.
- سرعت سوئیچینگ بالا: مناسب برای کاربردهای سوئیچینگ سریع که به زمان پاسخدهی سریع نیاز دارند.
- پکیج TO-3P: طراحی شده برای دفع حرارت بهتر و استفاده در محیطهای با توان بالا.
کاربردها:
- منابع تغذیه سوئیچینگ: استفاده در منابع تغذیه سوئیچینگ با توان بالا.
- کنترل موتور: در سیستمهای کنترل موتورهای DC و AC با توان بالا.
- مدارات حفاظتی: استفاده در مدارهای حفاظتی برای قطع جریانهای غیرمجاز.
- اینورترها: در اینورترهای توان بالا برای تبدیل DC به AC.
ساختار داخلی و پکیج:
- سه پایه: شامل درین (D)، سورس (S) و گیت (G).
- پکیج TO-3P: پکیج TO-3P برای دفع حرارت بهتر و نصب آسان در بردهای مدار چاپی.
نحوه استفاده:
- مدار درایور گیت: استفاده از یک درایور گیت مناسب برای فراهم کردن ولتاژ و جریان کافی جهت سوئیچینگ موثر.
- محدود کردن جریان گیت: استفاده از مقاومت گیت برای جلوگیری از آسیب به ترانزیستور به دلیل جریان بیش از حد.
- استفاده از هیت سینک: برای دفع حرارت اضافی و جلوگیری از افزایش دما، از هیت سینک مناسب استفاده کنید.
خلاصه:
ترانزیستور FDA59N30 یک MOSFET N-channel با ویژگیهای ولتاژ بالا و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ و کنترل موتور در مدارهای الکترونیکی قدرت مناسب است. پکیج TO-3P آن باعث دفع حرارت بهتر و نصب آسان میشود. این ترانزیستور به دلیل مقاومت روشن پایین و توان پراکنده بالا، برای کاربردهای مختلف از جمله منابع تغذیه سوئیچینگ، کنترل موتور و مدارات حفاظتی مناسب است. برای اطلاعات بیشتر و جزئیات فنی، مطالعه دیتاشیت این ترانزیستور توصیه میشود.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.