ترانزیستور FQA11N90

55,000 تومان

موجود در انبار

ویژگی های محصول

وزن 0.002000 گرم
نوع

(MOSFET)

ولتاژ

600 ولت

پلاریته

N-channel

توضیحات محصول

ترانزیستور FQA11N90

 

یک MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) قدرتی نوع N-channel است که به طور گسترده در کاربردهای توان بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، و کنترل موتورها استفاده می‌شود. این ترانزیستور به دلیل ویژگی‌های برجسته‌ای مانند ولتاژ و جریان بالا، سرعت سوئیچینگ بالا و مقاومت روشن پایین، محبوبیت زیادی دارد.

مشخصات کلیدی:

  1. نوع: N-channel MOSFET
  2. ولتاژ سورس-درین (Vds): 900 ولت
  3. جریان درین (Id): 11 آمپر
  4. مقاومت روشن (Rds(on)): حدود 0.85 اهم
  5. توان پراکنده (Pd): تا 250 وات

ویژگی‌ها:

  • ولتاژ بالا: FQA11N90 می‌تواند ولتاژهای بالایی تا 900 ولت را تحمل کند.
  • جریان و توان مناسب: جریان درین تا 11 آمپر و توان پراکنده تا 250 وات.
  • سرعت سوئیچینگ بالا: دارای سرعت سوئیچینگ بالاست که آن را برای کاربردهای سوئیچینگ مناسب می‌سازد.
  • مقاومت روشن مناسب: Rds(on) معقول به کاهش تلفات توان و افزایش کارایی مدار کمک می‌کند.
  • پایداری حرارتی: دارای پایداری حرارتی خوبی است که باعث افزایش عمر و کارایی ترانزیستور می‌شود.

کاربردها:

  1. منابع تغذیه سوئیچینگ: در منابع تغذیه سوئیچینگ برای تبدیل ولتاژ و کنترل توان استفاده می‌شود.
  2. اینورترها: در اینورترهای توان بالا برای تبدیل جریان مستقیم به جریان متناوب استفاده می‌شود.
  3. مدارات تقویت‌کننده قدرت: در تقویت‌کننده‌های قدرت و سیستم‌های صوتی برای تقویت سیگنال‌های توان بالا استفاده می‌شود.
  4. کنترل موتورها: در سیستم‌های کنترل موتورهای الکتریکی استفاده می‌شود.
  5. مدارات حفاظت و سوئیچینگ قدرت: برای محافظت از مدارهای الکترونیکی و سوئیچ کردن بارهای قدرت استفاده می‌شود.

ساختار داخلی:

  • سه پایه: شامل درین (D)، سورس (S) و گیت (G) می‌باشد.
  • پکیج استاندارد: معمولاً در پکیج TO-3P عرضه می‌شود که دارای سطح مقطع فلزی برای بهبود انتقال حرارت است.

نحوه استفاده:

برای استفاده از ترانزیستور FQA11N90 در مدار، باید موارد زیر را رعایت کنید:

  • محدود کردن جریان گیت: برای جلوگیری از خرابی به دلیل جریان بیش از حد، از مقاومت گیت مناسب استفاده کنید.
  • مدار درایور گیت: استفاده از یک درایور گیت مناسب برای فراهم کردن ولتاژ و جریان کافی جهت سوئیچینگ موثر.
  • محدود کردن ولتاژ و جریان: مطمئن شوید که ولتاژ و جریان مدار از مقادیر مجاز ترانزیستور تجاوز نمی‌کند.
  • استفاده از هیت سینک: برای دفع حرارت اضافی و جلوگیری از گرمای اضافی، از هیت سینک مناسب استفاده کنید تا ترانزیستور در دمای مناسب کار کند.

مثال مدار ساده:

در یک منبع تغذیه سوئیچینگ، گیت ترانزیستور FQA11N90 به یک مدار درایور متصل می‌شود که سیگنال سوئیچینگ را فراهم می‌کند. درین به منبع ولتاژ DC و سورس به بار یا زمین متصل می‌شود. سیگنال درایور باعث روشن و خاموش شدن ترانزیستور می‌شود و توان را به بار منتقل می‌کند.

محصولات مرتبط

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “ترانزیستور FQA11N90”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *